如何正确给MOS管加散热片

如何正确给MOS管加散热片

如何准确地在金属氧化物半导体管中加入散热器

在电子线路规划方面，在很多情况下都要考虑 emc 问题。稳频稳压电源它有别于电机调速用的变频调速控制器，也有别于普通交流稳压电源。直流稳压电源能为负载提供稳定直流电源的电子装置。直流稳压电源的供电电源大都是交流电源，当交流供电电源的电压或负载电阻变化时，稳压器的直流输出电压都会保持稳定。军用400Hz电源性能特点：高精确度、高稳定性、高可靠性 技术指标：28V电压输出。当金属氧化物半导体晶体管用于规划，一种对比纠结可能出现时，加上散热器。当金属氧化物半导体晶体管的 emc 过期时，散热器需要接地，如果散热器不接地，emc 就不能接地。为什么会这样？

简而言之，传导可以通过辐射器将一些开关辐射传导到接地电路，削弱了传输线，使循环路径更加畅通。对于辐射，不接地的辐射器不仅没有优势，而且是辐射发射源，对EMC的危害更大。因为接地在一起，所以可以起到一定的屏蔽作用。所以用大电解电容屏蔽，把ic放在大电解电容下面防止干扰也是同样的道理。

共模搅扰

打扰学生经过MOS管与散热片寄生电容、LISN、以及L、N线回来到源。假如MOS管接地方式的话，在打扰工作电压技术必定的情况下，阻抗能力很低，打扰一个电流产生很大，致使CE测试数据失效。

当开关管从开关状态切断时，脉冲变压器的分布电感储存的能量会随着 c1振动，使开关管 c 和 e 之间的电压迅速上升到约500v，构成浪涌电压。共模干扰电流是由开关频率工作的脉冲串电流、集电极与辐射器之间的分布电容 ci、次级与集电极之间的分布电容 cd 以及变压器回交流线路的分布电容 cd 构成的。

当开关管从断开切换到接通时，C1通过开关管放电形成浪涌电流，该浪涌电流受到差模的干扰。

如图1所示，减少一个开关管集电极和散热片结构之间的耦合分析电容Ci。能够通过选用低介电常数的资料作绝缘垫，加厚垫片的厚度。也能够用一种静电进行屏蔽的办法。例如，在集电极和散热片之间需要垫上完成一层夹心绝缘物，即绝缘物中间夹一层铜箔，作为研究静电产生屏蔽层，并接在系统输入输出直流OV地上，散热片仍接机壳地，这层静电可以屏蔽层将大大影响减小最大集电极和散热片之间的电场技术耦合。

如图2所示，即将共模干扰转换为差模，返回流源不通过LISN。